Siの不純物拡散に於るγ線の影響 : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1966-03-31
著者
-
谷口 一郎
同志社大学工学部
-
谷口 一郎
三菱電機中研
-
松浦 宏太郎
同志社大学工学部電気工学科
-
松島 靖夫
同志社大学工学部電気工学科
-
久保田 芳男
同志社大学工学部電気工学科
-
谷口 一郎
同志社大学工学部電気工学科
関連論文
- ECR CVD法によるTEOSからのSiO_2膜の形成とMOS界面評価への応用
- Stain Filmの光化学反応 : 表面物理・薄膜
- 銀融液内でのセレン化銀微粒子成長および金属銀と平衡にある平衡形 : 基礎(実験)III
- 26a-F-4 金属銀と平衡にあるα-Ag_2S、α-Ag_2Se粒子の平衡形
- 銀融液固化過程でのセレン化銀粒子の成長とモルフォロジー : モルフォロジーII
- 冷却過程における銀融液中でのセレン化銀粒子の成長 : モルフォロジーII
- 「CEATEC JAPAN 2001」基調講演 IT宇宙インフラが拓く新しい社会
- 4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性 : 光照射および磁界印加による4端子MOSFETの動作特性
- 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の磁界依存性
- 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果
- 金拡散4端子MAGFETによる磁気抵抗効果
- 高温相セレン化銀、硫化銀平衡形の銀原子化学ポテンシャル依存性 : 形態形成 I
- 過冷却酢酸ナトリウム3水和物の初期成長過程のその場観察 : 溶液成長のその場観察I
- 複合電波吸収体の作成および評価
- α-Ag_2S平衡形の表面自由エネルギー密度の温度・蒸気圧依存性 : 成長界面I
- 溶液中の銀イオンがNaCH_3COO・3H_2O濃厚水溶液の電気核形成に及ぼす影響 : 溶液成長I
- 酢酸ナトリウム3水和物濃厚水溶液の電気核形成待ち時間の濃度依存性 : 基礎(実験)III
- 反応性イオンエッチングによる損傷層をもつAu/P-Siダイオードのアドミタンス特性
- Photon Coincidenceと分光法への応用 : 量子エレクトロニクス
- Siの不純物拡散に於るγ線の影響 : 半導体(結晶成長, Device (酸化膜))
- 4a-B-1 オプティカル・パンピングの実験(II)
- 5a-H-6 オプティカル・パンピングの実験
- 過冷却酢酸ナトリウム三水和物水溶液の結晶化過程 : 水溶液成長
- 炉温降下法によるKTN結晶の育成と電気的性質 : 誘電体
- 2a-K-3 ホーランダイト型構造を持つ一次元超イオン伝導体のNMR
- 2a-K-2 ホランダイト型構造一次元超イオン伝導体の周波数依存イオン伝導率の測定
- 気相反応法によるTiO_2膜の電気特性(II) : 薄膜
- 241-B-6 α-Ag_2S平衡形の温度特性
- 29aC5 NaCH_3COO・3H_2O水溶液電気核形成活性化過程における表面アマルガム化反応(溶液成長I)
- 触媒を使った窒化珪素被膜の合成 II : 半導体 (表面)
- 触媒を使った窒化珪素被膜の合成 : 半導体 (表面)
- 酢酸ナトリウム3水和物水溶液の電気核形成におよぼす水銀イオンの影響 : 基礎V
- MIS系界面に関する一考察 : 半導体 (表面)
- 反応性イオンエッチングによるSi表面の損傷とNF3ガスによる回復効果
- 三元化合物M_2S-In_2S_3系(M=Cu,Ag)スピネルの単結晶成長と評価 : 評価
- 硫化物スピネルMin_5S_8(M=Ag,Cu)の水平ブリッジマン法による成長 : 融液成長IV
- ECRプラズマエッチングにおけるRFバイアスのSi表面への影響
- α-Ag_2S熱平衡形のファセット近傍の観察 : 平衡形
- タイトル無し