4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の磁界依存性

概要

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チャネル-基板間(実際にはソース-基板間)電圧V_<CB>を加えた4端子nチャネルMOSFETに横方向磁界を加えると磁気抵抗効果を生じる.市販のシミュレーションソフトSUPREM, PISCESを用いて磁界を加えない時の電流分布のシミュレーションを行い, 磁界を加えた時に素子内部を流れる電流が受ける影響について考察した.4端子nチャネルMOSFETに磁界を加えた場合, V_<CB>を大きくすることで基板下向きに流れる電流が増し, ドレイン電流I_Dが減少する効果が大きくなった.基板に対して平行な平行相対感度S_<RD>はV_<CB>に比例し, 磁束密度Bに比例して増加する.S_<RD>はゲート長Lを長くすることで増加する.S_<RD>はB=1[T], V_<CB>=10[V]の時で最大値を示し, L=20[μm]ではS_<RD>=0.034[T^<-1>], L=40[μm]では第15回日本心電学会学術集会_<RD>=0.041[T^<-1>]となった.
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-12-14