rf-MBE法によるSi基板上立方晶GaN成長法の改良 (第42回同志社大学理工学研究所研究発表会,2004年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム講演予稿集)

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概要

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• 同志社大学理工学研究所の論文

著者

• 菊池 友

  同志社大工

• 大鉢 忠

  同志社大・理

関連論文

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• 26aB09 立方晶GaNのrf-MBE成長における窒素フラックス一様性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN, AlN, InNヘテロエピタキシャル初期成長過程(AlN結晶成長シンポジウム)
• 17pB01 活性窒素原子フラックスのその場計測・制御を用いたRF-MBE GaN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
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• 26aB08 3C-SiC/Si上へのrf-MBE成長h-GaNに対する窒素イオンと電子が及ぼす影響(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• 26aB10 MBE装置による超高真空下3C-SiC/Si(001)テンプレート作製とc-GaNの均一性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• GaAs/AlAsヘテロ構造におけるAlAs層の横方向酸化に関する研究 : エピキタシャル成長I
• Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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• MBE成長GaAs(111)A面の成長中断を用いたSiドープAs圧力依存性 : エピキタシャル成長I
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• 第33回結晶成長討論会(通称:放談会)参加報告(学会活動報告)
• 工業的重要電子材料の結晶成長国際スクール(ISCGTIEM)インド・マイソール参加報告(閑話休題)
• 4端子MOSFETの横方向磁界による平行・垂直磁気抵抗効果
• 4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性 : 光照射および磁界印加による4端子MOSFETの動作特性
• 4端子MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の磁界依存性
• 第33回結晶成長討論会(通称 : 放談会)参加報告
• 準安定立方晶閃亜鉛鉱構造III族窒化物半導体結晶成長 : その将来への期待(安定・準安定:閃亜鉛鉱構造とウルツ鉱構造)
• 業績賞創設について(学会活動報告)
• 窒素励起モード切換MEEを用いるRF-MBE結晶成長法 (第44回同志社大学理工学研究所研究発表報告会2006年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
• 01aB03 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi(111)基板上のh-GaN膜の性質(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB02 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi基板上GaNのRF-MBE成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB01 RF-MBE法に用いる窒素ラジカル源の低輝度と高輝度励起モード切換(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 18aA03 Si上への立方晶GaNのMBE成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
• 結晶成長国際機構(IOCG)と結晶学国際連合(IUCr)およびその国際交流活動紹介(閑話休題)
• 歴史的人工結晶収集事業(第4章 歴史的結晶の収集,日本結晶成長学会創立30周年記念)
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• 総務報告(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 第11回結晶成長国際夏期スクール(ISSCG-11)報告(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
• 19pPSB-54 超イオン導電体AgIを利用したAg細線の作製
• 分子線エピタキシャル(MBE)法による高砒素圧・低温条件下のGaAs成長 (第40回同志社大学理工学研究所研究発表会 2002年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)
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• Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
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• 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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