菊池 友 | 同志社大工

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概要

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• 大鉢 忠

  同志社大・理

• 大鉢 忠

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著作論文

• 26aB09 立方晶GaNのrf-MBE成長における窒素フラックス一様性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN, AlN, InNヘテロエピタキシャル初期成長過程(AlN結晶成長シンポジウム)
• 17pB01 活性窒素原子フラックスのその場計測・制御を用いたRF-MBE GaN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
• 17pB10 BP/Si(001)上への立方晶GaNRF-MBE成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
• 22aXB-3 銅ハライドの電子状態の圧力依存性(超イオン伝導体・イオン伝導体,領域5(光物性))
• rf-MBE法によるSi基板上立方晶GaN成長法の改良 (第42回同志社大学理工学研究所研究発表会,2004年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム講演予稿集)
• 26aB08 3C-SiC/Si上へのrf-MBE成長h-GaNに対する窒素イオンと電子が及ぼす影響(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• 26aB10 MBE装置による超高真空下3C-SiC/Si(001)テンプレート作製とc-GaNの均一性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
• GaAs/AlAsヘテロ構造におけるAlAs層の横方向酸化に関する研究 : エピキタシャル成長I

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