下村 浩司 | 同志社大学工学部

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概要

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• 下村 浩司

  同志社大学工学部

• 大鉢 忠

  同志社大・理

• 大鉢 忠

  同志社大学工学部

• 山邊 信彦

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• 折出 和章

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• 武田 祥宏

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• 芝滝 健太郎

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• 乾 紘輔

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• 和田 元

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• 和田 元

  同志社大学

• 和田 元

  同志社大院工

• 和田 元

  Doshisha University

• 藤田 和久

  イオン工研

• 藤田 和久

  イオン工学研究所

• 菊池 友

  同志社大工

• 有屋田 修

  アリオス(株)

• 菊池 友

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• 伊藤 洋平

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• 高木 涼

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• 鳳桐 将之

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• 宮内 勝久

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• 田中 奈穂

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• 大西 由真

  イオン工学研究所

• 有屋田 修

  Arios Inc.

• 宮内 勝久

  同志社大工

• 大鉢 忠

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• 藤田 和久

  イオン工学研

• 有屋 田修

  アリオス(株)

• 好田 慎一

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• 北村 友愛

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• 下村 浩司

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著作論文

• プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN, AlN, InNヘテロエピタキシャル初期成長過程(AlN結晶成長シンポジウム)
• 01aB03 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi(111)基板上のh-GaN膜の性質(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB02 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi基板上GaNのRF-MBE成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• 01aB01 RF-MBE法に用いる窒素ラジカル源の低輝度と高輝度励起モード切換(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
• GaAs系MBE成長でのRHEEDを用いた高As圧条件における基板上過剰As層 : エピキタシャル成長I

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