01aB01 RF-MBE法に用いる窒素ラジカル源の低輝度と高輝度励起モード切換(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)

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概要

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• Low and high bright discharge modes of a nitrogen radical source were investigated for MEE (migration enhanced epitaxy) method of RF-MBE. The low bright (LB) mode and the high bright (HB) mode are the E mode discharge of capacitive coupling and the high- density H mode discharge of inductive coupling, respectively. The mode transition between LB and HB is applicable to MEE method of RF-MBE.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2006-11-01

著者

• 和田 元

  同志社大院工

• 和田 元

  Doshisha University

• 和田 元

  同志社大学工学部

• 有屋田 修

  アリオス(株)

• 大鉢 忠

  同志社大学工学部

• 下村 浩司

  同志社大学工学部

• 有屋田 修

  Arios Inc.

• 大鉢 忠

  同志社大・理

• 山邊 信彦

  同志社大学工学部

• 折出 和章

  同志社大学工学部

• 武田 祥宏

  同志社大学工学部

• 芝滝 健太郎

  同志社大学工学部

• 乾 紘輔

  同志社大学工学部

• 有屋 田修

  アリオス(株)

• 和田 元

  同志社大学

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