26aB08 3C-SiC/Si上へのrf-MBE成長h-GaNに対する窒素イオンと電子が及ぼす影響(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)

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概要

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• Hexagonal GaN were grown using rf-MBE under the influence of various nitrogen ion and electron fluxes. Yellow luminescence was suppressed for samples grown at low electron flux. While the presence of the ions in the nitrogen beam degrades the quality of the samples as determined through XRD and PL.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2004-08-25

著者

• 和田 元

  同志社大工

• 大鉢 忠

  同志社大工

• Somintac A.S.

  同志社大工

• 菊池 友

  同志社大工

• 有屋田 修

  アリオス(株)

• Somintac A.

  同志社大工

• 有屋田 修

  Arios Inc.

• 藤井 範章

  同志社大工

• 安田 貴憲

  同志社大工

• 山口 哲

  同志社大工

• 中村 宣隆

  同志社大工

• 宮内 勝久

  同志社大工

• 大鉢 忠

  同志社大・理

• ソミンタック アルマンド

  Department Of Electrical Engineering Doshisha University

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