分子線エピタキシャル(MBE)法による高砒素圧・低温条件下のGaAs成長 (第40回同志社大学理工学研究所研究発表会 2002年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム)

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概要

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著者

• 大鉢 忠

  同志社大・理

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• Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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• a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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• GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
• 第33回結晶成長討論会(通称:放談会)参加報告(学会活動報告)
• 工業的重要電子材料の結晶成長国際スクール(ISCGTIEM)インド・マイソール参加報告(閑話休題)
• 4端子MOSFETの横方向磁界による平行・垂直磁気抵抗効果
• 4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性 : 光照射および磁界印加による4端子MOSFETの動作特性
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• 01aB02 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi基板上GaNのRF-MBE成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
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