17pB01 活性窒素原子フラックスのその場計測・制御を用いたRF-MBE GaN成長(半導体エピ(3),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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in-situ monitoring and controlling of activated nitrogen flux was invented for RF-MBE growth. in-situ measurement of N^* flux was established with -66.4V biased platinum wire under charged-particle-free environment during GaN growth using RF-MBE. 94.7% of c-GaN(001)/Si(001) and almost atomically flat h-GaN(0001)/Si(111) were achieved using this method.
- 2005-08-17
著者
-
Somintac A.S.
同志社大工
-
菊池 友
同志社大工
-
有屋田 修
アリオス(株)
-
Somintac A.
同志社大工
-
菊池 友
Department of Electrical engineering, Doshisha University
-
ソミンタック アルマンド
Department of Electrical engineering, Doshisha University
-
有屋田 修
Arios Inc.
-
和田 元
Department of Electrical engineering, Doshisha University
-
大鉢 忠
Department of Electrical engineering, Doshisha University
-
大鉢 忠
同志社大・理
-
ソミンタック アルマンド
Department Of Electrical Engineering Doshisha University
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