17pB10 BP/Si(001)上への立方晶GaNRF-MBE成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
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概要
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Growth of cubic GaN was performed on MOCVD grown BP/Si(001) substrates using RF-MBE. Surface RHEED reconstruction patterns of (2x2) and (4x1) were observed under Ga rich and stoichiometric conditions, respectively. The purity of c-GaN was 98% which was measured from the ratio of integrated intensity of (002)c and (1-101)h XRD peaks.
- 2005-08-17
著者
-
和田 元
同志社大工
-
大鉢 忠
同志社大工
-
Somintac A.S.
同志社大工
-
菊池 友
同志社大工
-
Somintac A.
同志社大工
-
小田原 道哉
昭和電工(株)
-
宇田川 隆
昭和電工(株)
-
大鉢 忠
同志社大・理
-
ソミンタック アルマンド
Department Of Electrical Engineering Doshisha University
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