プラズマ励起MBE法によるSi基板への立方晶GaN, AlN, InNヘテロエピタキシャル初期成長過程(AlN結晶成長シンポジウム)
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概要
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The early stage of the direct nucleation of GaN, AlN and InN on a Si substrate using microwave and radio frequency plasma-assisted MBE was presented. The islands of a zinc blende structured material (c-SiN_x or 3C-SiC [a=0.43nm]), worked as a seed for successive cohearent growth of c-GaN ,c-AlN or c-InN oriented <001>.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
藤田 和久
イオン工研
-
藤田 和久
イオン工学研究所
-
和田 元
同志社大学工学部
-
菊池 友
同志社大工
-
大鉢 忠
同志社大学工学部
-
菊池 友
同志社大学工学部
-
伊藤 洋平
同志社大学工学部
-
高木 涼
同志社大学工学部
-
鳳桐 将之
同志社大学工学部
-
下村 浩司
同志社大学工学部
-
宮内 勝久
同志社大学工学部
-
田中 奈穂
同志社大学工学部
-
大西 由真
イオン工学研究所
-
宮内 勝久
同志社大工
-
藤田 和久
イオン工学研
-
大鉢 忠
同志社大・理
-
和田 元
同志社大学
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