01aB02 窒素励起モード切換MEE法を用いたSi基板上GaNのRF-MBE成長(半導体エピ(1),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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GaN films were grown on Si(111) by RF-MBE MEE method using the nitrogen exciting mode transition between the low bright discharge mode and the high bright one. The time sequence of Ga and N exposure was effective to control the thickness of the film and III/V flux ratio.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
大鉢 忠
同志社大学工学部
-
下村 浩司
同志社大学工学部
-
大鉢 忠
同志社大・理
-
山邊 信彦
同志社大学工学部
-
折出 和章
同志社大学工学部
-
武田 祥宏
同志社大学工学部
-
芝滝 健太郎
同志社大学工学部
-
乾 紘輔
同志社大学工学部
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