高As圧力下でのGaAsMBE成長におけるGa蒸発 : エピタキシャル成長III
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概要
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Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) oscillation measurements on a GaAs(100) surface at near Ga stabilized surface were used to study the desorption of Ga on GaAs substrates. Dependence of the growth rates on the As pressure, as measured by RHEED oscillations from the (100) surface were observed. The increase of Ga desorption from the surface at higher As pressures probably arose from an increasing coverage with the QLL(qpasi liquid layer) of As.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
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