高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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スパッタ条件を工夫して室温で成膜したリンドープシリコン膜に対して,青色半導体レーザアニーリング(BLDA)による熱処理を施したところ、試料の結晶性が大きく向上し、シート抵抗値が著しく減少することが確認された。実験で得られたシート抵抗の値を用いてデバイスシミュレーションを行った結果、約2μm以下の短いチャネル長でTFT特性の著しい向上が見られた。BLDAは低温化プロセスとしてTFTの高性能化に非常に有効であり、期待される。
- 2012-04-20
著者
-
大鉢 忠
同志社大学工学部
-
野口 隆
琉球大学工学部
-
鈴木 俊治
琉球大学工学部
-
大鉢 忠
同志社大・理
-
岡田 竜弥
琉球大学工学部
-
佐保田 英司
日立コンピュータ機器(株)
-
白井 克弥
琉球大学工学部
-
松島 英紀
日立コンピュータ機器(株)
-
橋本 隆夫
日立コンピュータ機器(株)
-
荻野 義明
日立コンピュータ機器(株)
-
Mugiraneza J.
琉球大学工学部
-
松島 英樹
日立コンピュータ機器
-
西ノ原 拓磨
琉球大学工学部
-
荻野 義明
日立コンピュータ機器
-
橋本 隆夫
日立コンピュータ機器
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