p型Si薄膜の結晶化と電気特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
As a result of excimer laser annealing (ELA) for heavily boron doped Si film, the sheet resistance decreased with improving the crystallinity. Si film of 50nm thickness with extremely low sheet resistance below 50ohm/□ was obtained. Effective electrical activation in the Si film is comparable to the reported result for bulk single-crystalline Si under thermal equilibrium condition. ELA activation is effective to electrodes in CMOS TFTs with pin sensor-diodes and for thin-film solar cell as a new System on Panel (SoP).
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-04-17
著者
関連論文
- TFTの高性能化と課題
- Influence of grain size on gate voltage swing and threshold voltage of poly-Si thin film transistor (シリコン材料・デバイス)
- レーザー、アニール後のドープSi膜の電気的活性化(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- レーザー、アニール後のドープSi膜の電気的活性化(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- シリコンドットTFTメモリー
- シリコンドットTFTメモリー
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- エキシマレーザアニールによるポリSi薄膜中の効率的な不純物活性化(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- p型Si薄膜の結晶化と電気特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- p型Si薄膜の結晶化と電気特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス基板上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- ED2000-45 / SDM2000-45 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- 基板温度110℃で作製した低温poly-Si TFT
- 基板温度110℃で作製した低温poly-Si TFT
- Siドット薄膜トランジスタメモリ
- Siドット薄膜トランジスタメモリ
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 高濃度Si薄膜中の不純物活性化 : ELAによるSi薄膜中P原子の高効率活性化(シリコン関連材料の作製と評価)
- エキシマレーザアニールによるポリSi薄膜中の効率的な不純物活性化(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- SiトランジスタにおけるELAの応用,AWAD2006)
- SiトランジスタにおけるELAの応用
- 超低温ポリSi TFTプロセス(U-LTPS)(半導体Si及び関連材料・評価)
- Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- ガラス基板上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な不純物活性化ドーピング
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な不純物活性化ドーピング
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な木純物活性化ドーピング
- TFTの高性能化と課題
- TFTの高性能化と課題
- TFTの高性能化と課題
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化