エキシマレーザアニールによるポリSi薄膜中の効率的な不純物活性化(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
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概要
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微細な高性MOS SETの場合と同様に、ガラス、プラスチック基板上などにつくる高性能Si TFTの実現において、不純物ドープされたSi薄膜に対しての有効な電気的活性化は一つの重要な課題である。低温化対応プロセスであるエキシマレーザーアニール(ELA)によるSi膜中でのドーパントの活性化の振る舞いに関する詳細な研究が求められる。高濃度の燐イオンが50nm厚のSi中に注入され、紫外のパルス光であるエキシマレーザーが、そのエネルギー密度を変化させて照射された。導電率と結晶性との関連を4探針法と分光エリプソメトリ、ラマン散乱法を用いて調べた。導電率は、結晶性の改善とともに増加した。溶融再結晶化により、Si膜中で、有効な不純物活性化が生じ、約100Ω/sp.と低い抵抗値を示した。一方、ラマン解析より、ドープしないレーザー結晶化Si膜の場合と同様のひっぱり応力を示すことが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-18
著者
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