基板温度110℃で作製した低温poly-Si TFT
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概要
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ヘリウムガス中スパッタによりプラスチック基板上に110℃で堆積したa-Siを、室温でエキシマレーザ結晶化することにより平均粒径300nmの高品質poly-Siを得ることができた。ソース・ドレイン作製のために低温かつ大面積基板に適したドーピング法と、低温成膜ゲート絶縁膜改善のためにエキシマレーザポストアニール法(ELPA)を開発し、プロセス温度110℃以下のプロセス温度で低温poly-Si TFTを作製できることを示した。この方法で石英基板上に作製したn-ch poly-SiTFTはμ_<eff>=140cm^2/V.s, S=0.36V/decadeの高特性を示した。このプロセスの全ては低耐熱性プラスチック基板のTFT作製に適用できるものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-13
著者
-
町田 暁夫
ソニー(株)中央研究所
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町田 暁夫
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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野口 隆
琉球大学工学部
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野口 隆
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
-
碓井 節夫
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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Gosain Dharam
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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