SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な不純物活性化ドーピング
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概要
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ポリSiTFTは、ガラスなどの基板上につくる液晶(LCD)や有機EL(OLED)などの平面ディスプレイ駆動素子として、研究開発が盛んである。結晶化法など製造プロセスの改善により、駆動電流向上が求められており、低抵抗S/Dの形成は重要な項目の一つでもある。ポリSi膜中で有効な不純物活性化法であるSPCとELAに関して述べる。不純物イオン注入を施したアモルファスSi膜にSPCを施すと、p型ポリSiにおいても平坦で大きな樹枝状粒径が得られ低抵抗化が可能になる。また更にELAを施すことで、結晶性の著しい結晶性の改善とともにより有効な活性化が可能になる。更に低電圧化において期待される高性能TFTにおいて、p型SiGeゲート膜の活性化の有効性を述べる。結晶性、活性化評価に有効な非接触分光法の有効性にも触れ、材料物性、プロセスの基本的な観点より論じる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-09
著者
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