野口 隆 | 琉球大学工学部
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概要
関連著者
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野口 隆
琉球大学工学部
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鈴木 俊治
琉球大学工学部
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坂本 明典
琉球大学工学部
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大鉢 忠
同志社大学工学部
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岡田 竜弥
琉球大学工学部
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大鉢 忠
同志社大・理
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大城 文明
琉球大学工学部
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野口 隆
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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宮平 知幸
琉球大学工学部
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白井 克弥
琉球大学工学部
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荻野 義明
日立コンピュータ機器
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橋本 隆夫
日立コンピュータ機器
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碓井 節夫
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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佐保田 英司
日立コンピュータ機器(株)
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松島 英紀
日立コンピュータ機器(株)
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橋本 隆夫
日立コンピュータ機器(株)
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松島 英樹
日立コンピュータ機器
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Mugiraneza J.
琉球大学工学部
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野本 和正
ソニー株式会社先端マテリアル研究所融合領域研究部
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野本 和正
ソニー(株)マテリアル研
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野本 和正
ソニー(株)セミコンダクタネットワークカンパニー
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鈴木 俊治
SEN-SHIアクセリスカンパニー
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Mugiraneza Jean
琉球大学工学部
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Chiu Ching-Ping
國立台灣科技大學電子工程系
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Chen Meng-Hsin
國立台灣科技大學電子工程系
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Yeh Wen-Chang
國立台灣科技大學電子工程系
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荻野 義明
日立コンピュータ機器(株)
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Gosain Dharam
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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野口 隆
パリ大学11、基礎電子工学研究所、(仏国立科学研究センター)
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ムジラネザ ジャン
琉球大学工学部
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屋宜 佳佑
琉球大学工学部
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西ノ原 拓磨
琉球大学工学部
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町田 暁夫
ソニー(株)中央研究所
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川井 健司
琉球大学工学部
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川島 紀之
ソニー株式会社先端マテリアル研究所融合領域研究部
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町田 暁夫
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
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平 健一
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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窪田 通孝
ソニー(株)
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川島 紀之
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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山岸 万千雄
ソニー(株)厚木テクノロジーセンターセミコンダクターカンパニー超LSI研究所先端素子研究部
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佐藤 正輝
SEN
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松本 光市
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
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山本 博士
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
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小瀬村 大亮
明治大学理工学部
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森 芳文
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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小椋 厚志
明治大学理工学部
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ムジラネザ ジョン
琉球大学工学部
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中尾 勇兼
九州大学大学院システム情報科学
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掛村 康人
明治大学理工学部
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野口 隆
琉球大学 工学部 電気電子工学科
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野口 隆
成均館大学校情報通信工学部
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山本 博士
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
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窪田 通孝
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
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山岸 万千雄
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
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ムジラネザ ジョンデディウ
琉球大学工学部
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都甲 薫
九州大学大学院 システム情報科学研究院
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佐保田 英二
日立コンピュータ機器
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鈴木 俊治
SEN
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小椋 厚志
明治大学理工学研究科
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Kim J.
Samsung Elec. Co. Alliances At Ibm Semiconductor Research And Development Center (srdc)
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都甲 薫
九州大学大学院システム情報科学研究院
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佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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小椋 厚志
明治大学理工学部電気電子生命学科
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Gosain Dharam
Frontier Science Laboratory, Sony Corporation
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Dharam Pal
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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Chiu Ching-Ping
國立台濁科技大學電子工程系
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Chen Meng-Hsin
國立台濁科技大學電子工程系
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Yeh Wen-Chang
國立台濁科技大學電子工程系
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野口 隆
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
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Kwon J.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
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Jung J.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
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Park K.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
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Lim H.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
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Cho H.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
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Zhang X.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
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Yin H.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
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Xianyu W.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
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Kim D.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
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小瀬村 大亮
明治大学理工学部:日本学術振興会
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Kim J.
Samsung Advanced Institute Of Technology (sait)
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Yeh Wen-chang
國立台灣科技大學 電子工程系
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野口 隆
Samsung Advanced Institute Of Technology (sait):sungkyunkwan University (skku)
-
都甲 薫
九州大学大学院システム情報科学
著作論文
- TFTの高性能化と課題
- Influence of grain size on gate voltage swing and threshold voltage of poly-Si thin film transistor (シリコン材料・デバイス)
- レーザー、アニール後のドープSi膜の電気的活性化(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- レーザー、アニール後のドープSi膜の電気的活性化(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- シリコンドットTFTメモリー
- シリコンドットTFTメモリー
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- エキシマレーザアニールによるポリSi薄膜中の効率的な不純物活性化(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- p型Si薄膜の結晶化と電気特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- p型Si薄膜の結晶化と電気特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス基板上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- ED2000-45 / SDM2000-45 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- 基板温度110℃で作製した低温poly-Si TFT
- 基板温度110℃で作製した低温poly-Si TFT
- Siドット薄膜トランジスタメモリ
- Siドット薄膜トランジスタメモリ
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 高濃度Si薄膜中の不純物活性化 : ELAによるSi薄膜中P原子の高効率活性化(シリコン関連材料の作製と評価)
- エキシマレーザアニールによるポリSi薄膜中の効率的な不純物活性化(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- SiトランジスタにおけるELAの応用,AWAD2006)
- SiトランジスタにおけるELAの応用
- 超低温ポリSi TFTプロセス(U-LTPS)(半導体Si及び関連材料・評価)
- Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- ガラス基板上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な不純物活性化ドーピング
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な不純物活性化ドーピング
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な木純物活性化ドーピング
- TFTの高性能化と課題
- TFTの高性能化と課題
- TFTの高性能化と課題
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化