佐道 泰造 | Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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概要
関連著者
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佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
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佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
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権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
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Kenjo A
Kyushu Univ.
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上田 公二
九州大学大学院システム情報研究院
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上田 公二
九州大学大学院システム情報科学研究院
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黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学:日本学術振興会
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黒澤 昌志
九州大学
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都甲 薫
九州大学大学院システム情報科学研究院
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竹内 悠
九州大学大学院システム情報科学研究院
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竹内 悠
九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻
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田中 政典
九州大学大学院システム情報科学研究院
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佐道 泰造
九州大学 大学院システム情報科学
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宮尾 正信
九州大学 大学院システム情報科学
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黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学
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菅野 裕士
九州大学大学院システム情報科学
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榎田 豊次
福菱セミコンエンジニアリング分析評価センター
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佐道 泰造
九州大学システム情報科学府
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熊野 守
九州大学大学院システム情報科学研究院
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榎田 豊次
福菱セミコン
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熊野 守
九州大学
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上田 公二
九州大学 大学院システム情報科学
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川畑 直之
九州大学大学院システム情報科学
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熊野 守
九州大学大学院システム情報研究院
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田中 貴規
九州大学システム情報科学府
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都甲 薫
九州大学大学院 システム情報科学研究院
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佐道 泰造
九州大学
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宮尾 正信
九州大学
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鳴海 一雅
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
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小柳 光正
東北大学工学研究科
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小柳 光正
東北大学 工学研究科 機械知能工学専攻
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権丈 淳
九州大学 大学院システム情報科学
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前田 佳均
京都大学大学院エネルギー科学研究科
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安藤 裕一郎
九州大学大学院システム情報研究院
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大賀 達夫
九州大学大学院システム情報科学研究院
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松本 光二
株式会社SUMCO
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宮尾 正信
九州大学システム情報科学府
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黒澤 昌志
九州大学 大学院システム情報科学研究院
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吉武 剛
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
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宮尾 正信
九州大学 大学院システム情報科学研究院
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村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門
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大田 康晴
九州大学システム情報科学府
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坂根 尭
九州大学大学院システム情報科学研究院
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田中 貴規
九州大学大学院システム情報科学研究院
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吉武 剛
九州大学
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吉武 剛
九州大学大学院総合理工学研究院
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吉武 剛
九大 大学院総合理工学研究院
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吉武 剛
九州大学大学院 総合理工学研究科
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村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院
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坂根 尭
九州大学大学院 システム情報科学研究院
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加藤 立奨
九州大学大学院システム情報科学府
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横山 裕之
九州大学大学院システム情報科学府
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朴 鍾〓
九州大学
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鈴木 恒晴
九州大学
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宮本 修治
兵庫県立大高度研
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望月 孝晏
兵庫県立大高度研
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天野 壮
兵庫県立大高度研
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宮本 修治
阪大レーザ研
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松尾 直人
兵庫県立大学
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宮本 修治
姫工大高度研
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望月 孝晏
姫路工業大学高度産業科学技術研究所
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部家 彰
石川県工試
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SADOH Taizoh
Department of Electronics, Kyushu University
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MIYAO Masanobu
Department of Electronics, Kyushu University
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松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
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野口 隆
琉球大学工学部
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都甲 薫
九州大学
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平岩 佑介
京都大学大学院エネルギー科学研究科
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宮本 修治
阪大レーザー研
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部家 彰
兵庫県立大学工学研究科
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神田 一浩
兵庫県立大学高度産業科学技術研究所
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宮本 修治
兵庫県立大学
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天野 壮
兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
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KENJO Atsushi
Department of Electrical Engineering,Faculty of Engineering,Kyushu University
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中尾 勇兼
九州大学大学院システム情報科学
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萩原 貴嗣
九州大学大学院システム情報科学
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KAMIZURU Hayato
Department of Electronics, Kyushu University
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Miyao M
Department Of Electronics Kyushu University
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部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
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望月 孝晏
兵庫県立大
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望月 孝晏
姫路工業大学 高度産業科学技術研究所
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神田 一浩
兵庫県立大
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野々村 勇希
兵庫県立大学工学部
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木野 翔太
兵庫県立大学工学部
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都甲 薫
九州大学システム情報科学研究院
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都甲 薫
九州大学 大学院システム情報科学研究院
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佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学府
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宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学府
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松尾 直人
兵庫県立大学工学部
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黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学府
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宮本 修治
兵庫県立大学高度産業技術研究所
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部家 彰
兵庫県立大学大学院
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部家 彰
兵庫県立大学 大学院工学研究科
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宮本 修治
兵庫県立大
著作論文
- Fe_3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長
- 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
- ガラス上に於ける多結晶SiGeの低温固相成長
- スピントロニクス用強磁性シリサイド(Fe_3Si)/SiGeの低温形成
- Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si_Ge_x(0≦x≦1)薄膜の低温形成
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による多結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- シリサイド半導体薄膜の結晶成長と特性(2)Ge導入によるβ-FeSi2のバンドギャップ変調 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 強磁性シリサイド/半導体積層構造の低温ヘテロエピタキシャル成長--Si系スピントロニクスの創出を目指して
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成:電界印加効果、触媒種効果(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- Ge-Channel Thin-Film Transistor with Schottky Source/Drain Fabricated by Low-Temperature Processing
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI(Ge on Insulator)の形成 : 人工単結晶への道 (ナノテクノロジー新時代における独創的モノ作りと協調的進化)
- 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) の形成 : 人工単結晶への道
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)