榎田 豊次 | 福菱セミコンエンジニアリング分析評価センター
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概要
関連著者
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榎田 豊次
福菱セミコンエンジニアリング分析評価センター
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榎田 豊次
福菱セミコン
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宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
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佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
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吉武 剛
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
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村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門
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佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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吉武 剛
九州大学
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吉武 剛
九州大学大学院総合理工学研究院
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吉武 剛
九大 大学院総合理工学研究院
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吉武 剛
九州大学大学院 総合理工学研究科
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村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院
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田中 政典
九州大学大学院システム情報科学研究院
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板倉 賢
九州大学大学院総合理工学研究院
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松本 光二
株式会社SUMCO
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波多 聡
九大
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Itakura M
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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板倉 賢
九州大学大学院総合理工学研究院融合創造理工学部門
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波多 聰
九州大学大学院 総合理工学研究院 融合創造理工学部門
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波多 聰
九州大学 大学院 総合理工学研究院
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板倉 賢
九州大学大学院 総合理工学研究院 融合創造理工学部門
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波多 聰
九州大学総合理工学研究院融合創造理工学部門
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権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
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Kenjo A
Kyushu Univ.
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孫 勇
九工大・情報工
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宮里 達郎
九工大・情報工
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園田 信夫
福菱セミコン
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孫 勇
九工大工
著作論文
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
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- 25pZ-14 SiC薄膜収縮によるSiC/Si界面欠陥の形成
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)