シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
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概要
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シリサイド半導体β-FeSi_2のエネルギーギャップの変調を目指し,Ge原子の導入による歪β-FeSi_2(Ge)結晶の形成と格子歪み評価を行った.[非晶質Si/非晶質Fe_<0.4>Si_<0.5>Ge_<0.1>]_n/結晶Si多層構造試料(n=1,2,4)を用い,700〜900℃,30分,真空中で熱処理を施すことにより,歪β-FeSi_2(Ge)結晶の形成を試みた.X線回折測定の結果,熱処理温度700℃において歪β-FeSi_2(Ge)結晶が形成されることが明らかになった.XRDピークのシフト量から格子歪みを見積もった結果,歪β-FeSi_2(Ge)結晶に最大0.5%の歪みが加わっていることがわかった.理論計算から,この格子歪み量(0.5%)により約0.03eVのエネルギーギャップ変調が期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-04-09
著者
-
吉武 剛
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
板倉 賢
九州大学大学院総合理工学研究院
-
榎田 豊次
福菱セミコンエンジニアリング分析評価センター
-
村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門
-
波多 聡
九大
-
Itakura M
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
吉武 剛
九州大学
-
吉武 剛
九州大学大学院総合理工学研究院
-
吉武 剛
九大 大学院総合理工学研究院
-
板倉 賢
九州大学大学院総合理工学研究院融合創造理工学部門
-
吉武 剛
九州大学大学院 総合理工学研究科
-
村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
榎田 豊次
福菱セミコン
-
波多 聰
九州大学大学院 総合理工学研究院 融合創造理工学部門
-
波多 聰
九州大学 大学院 総合理工学研究院
-
板倉 賢
九州大学大学院 総合理工学研究院 融合創造理工学部門
-
波多 聰
九州大学総合理工学研究院融合創造理工学部門
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