ボンド変調によるa-Si/SiO_2 の低温固相成長

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概要

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• SiO_2 膜上に形成した非晶質Si薄膜(35〜500nm)にGe導入(0〜20%)及びArイオン線照射を施してSi-Siボンドを変調し,ボンド変調が固相成長に与える影響について調べた。その結果,非晶質Siの核形成温度個相成長開始温度)は800℃であるが,Ge導入およびイオン線照射により,それぞれ700及び500℃に低下することがわかった。更に,Ge導入とイオン線照射の併用により,核形成温度は400℃に低下した。また,核成長速度は,Ge導入及びイオン線照射により増加した即ち,ボンド変調により,核形成及び核成長の両方が促進されることが明らかとなった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-04-09

著者

• 宮尾 正信

  九州大学大学院システム情報科学

• 佐道 泰造

  九州大学大学院システム情報科学

• 権丈 淳

  九州大学大学院システム情報科学

• 角田 功

  九州大学大学院システム情報科学

• 長友 圭

  九州大学大学院システム情報科学

• 角田 功

  九大 大学院

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