SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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我々は、SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI(Ge on Insulator)形成を提案し、GOI(100)の高品質成長を実現している[1]。今回、本手法によるGOI形成の応用範囲を拡げるため、Si基板シードを(110)、(111)に展開し、それぞれの面方位に制御されたGOI形成を検討した。その途上、Si基板シードの面方位と、GOIの成長方向に依存したGeの回転成長に遭遇した。回転成長のシード基板面方位、成長方向依存性を系統的に検討し、回転成長を阻止するプロセス指針を明らかにした。更に、得られた指針に基づき、大面積(500μm×250μm)を有するメッシュ状GOI(100)の単結晶成長を実現した。
- 2010-04-16
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
大田 康晴
九州大学システム情報科学府
-
田中 貴規
九州大学システム情報科学府
-
佐道 泰造
九州大学システム情報科学府
-
宮尾 正信
九州大学システム情報科学府
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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