Ge-Channel Thin-Film Transistor with Schottky Source/Drain Fabricated by Low-Temperature Processing
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2007-03-30
著者
-
SADOH Taizoh
Department of Electronics, Kyushu University
-
MIYAO Masanobu
Department of Electronics, Kyushu University
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
KENJO Atsushi
Department of Electrical Engineering,Faculty of Engineering,Kyushu University
-
KAMIZURU Hayato
Department of Electronics, Kyushu University
-
Miyao M
Department Of Electronics Kyushu University
関連論文
- Fe_3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- (100) Orientation-Controlled Ge Giant-Stripes on Insulating Substrates by Rapid-Melting Growth Combined with Si Micro-Seed Technique
- アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長
- 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
- ガラス上に於ける多結晶SiGeの低温固相成長
- スピントロニクス用強磁性シリサイド(Fe_3Si)/SiGeの低温形成
- Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si_Ge_x(0≦x≦1)薄膜の低温形成
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による多結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- Comparison of Nonlocal and Local Magnetoresistance Signals in Laterally Fabricated Fe_3Si/Si Spin-Valve Devices
- シリサイド半導体薄膜の結晶成長と特性(2)Ge導入によるβ-FeSi2のバンドギャップ変調 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Improvement of Oxidation-Induced Ge Condensation Method by H^+ Implantation and Two-Step Annealing for Highly Stress-Relaxed SGOI
- 強磁性シリサイド/半導体積層構造の低温ヘテロエピタキシャル成長--Si系スピントロニクスの創出を目指して
- Stress-Relaxation Process during Post-Annealing in SGOI Formed by H^+ Irradiation and Oxidation-Induced Ge Condensation
- Improved oxidation-induced Ge condensation technique by using H^+ irradiation and post-annealing for highly stress-relaxed ultrathin SGOI
- Improvement of Oxidation-Induced Ge Condensation Method by H^+ Implantation and Two-Step Annealing for Highly Stress-Relaxed SiGe-on-Insulator
- Furnace Annealing Behavior of B-doped Poly-SiGe Formed on Insulating Film
- Resistance Increase in CoSi_2 Layer by Irradiation Induced Damage
- Thin CoSi_2 Formation on SiO_2 with Low-Energy Ion Irradiation
- Low-temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide for SiGe Based Spintransistors(Session 1A : Emerging Device Technology 1)
- Evaluation of Damage Induced by Low-Energy Ion Irradiation in Silicon
- Behavior of Defects Induced by Low-Energy Ions in Silicon Films
- Low-temperature Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide for SiGe Based Spintransistors(Session 1A : Emerging Device Technology 1)
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Nucleation Control in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO_2 by Local Ge Insertion
- Ion Irradiation Stimulated Crystal Nucleation in Amorphous Si on SiO_2
- 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成:電界印加効果、触媒種効果(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- Ge-Channel Thin-Film Transistor with Schottky Source/Drain Fabricated by Low-Temperature Processing
- Mechanism of Improved Thermal Stability of B in Poly-SiGe Gate on SiON
- Mechanism of Improved Thermal Stability of B in Poly-SiGe Gate on SiON
- Metal-Induced Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films Insulator
- Dose-Dependent Etching Selectivity in SiO_2 by Focused Ion Beam
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- Association between Bite Force and TMD Symptoms in Young Adults
- Low-Temperature Formation of Poly-Si_Ge_x (x:0-1) on SiO_2 by Au-Mediated Lateral Crystallization
- Low-Temperature Formation of Poly-Si_Ge_x (x:0-1) on SiO_2 by Au-Mediated Lateral Crystallization
- Formation of β-FeSi_Ge_x by Ge-Segregation-Controlled Solid-Phase Growth of [a-Si/a-FeSiGe]_n Multilayered Structure
- Enhanced Metal-Induced Lateral Crystallization in Amorphous Ge/Si/SiO_2 Layered Structure
- High-Performance MOS Tunneling Cathode with CoSi_2 Gate Electrode
- High Quality Single-Crystalline Ge-Rich SiGe on Insulator Structures by Si-Doping Controlled Rapid Melting Growth
- Giant Ge-on-Insulator Formation by Si--Ge Mixing-Triggered Liquid-Phase Epitaxy
- SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI(Ge on Insulator)の形成 : 人工単結晶への道 (ナノテクノロジー新時代における独創的モノ作りと協調的進化)
- 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) の形成 : 人工単結晶への道
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- Epitaxial Growth of Ferromagnetic Silicide Fe3Si on Si(111) Substrate
- Formation of $\beta$-FeSi2-xGex by Ge-Segregation-Controlled Solid-Phase Growth of [a-Si/a-FeSiGe]n Multilayered Structure
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- Dose-Dependent Etching Selectivity in SiO2 by Focused Ion Beam
- Ge-Channel Thin-Film Transistor with Schottky Source/Drain Fabricated by Low-Temperature Processing
- Nucleation Control in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO2 by Local Ge Insertion
- Electric-Field-Assisted Metal-Induced Lateral Crystallization of Amorphous SiGe on SiO2
- Suppression of Floating Body Effects in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor by Schottky Source/Drain Structure
- Enhanced Metal-Induced Lateral Crystallization in Amorphous Ge/Si/SiO2 Layered Structure
- Low-Temperature Formation of Poly-Si1-xGex ($x$: 0–1) on SiO2 by Au-Mediated Lateral Crystallization
- Metal-Induced Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films on Insulator