Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
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概要
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分子ビーム堆積法(FeとSiの同時供給)を用い, Si基板上におけるシリサイド強磁性体Fe_3Siのエピタキシャル成長を検討した.X線回折測定の結果, 堆積温度(30-300℃)でFe_3Si相が形成され, 堆積温度(400℃)では, FeSi相が形成されることが判った.高温堆積(400℃)でのFeSi相の形成は, 基板からのSi供給に起因する.透過型電子顕微鏡測定の結果, Si(111)基板上では, Fe_3Si(111)薄膜がエピタキシャル成長する事が判明した.一方, Si(100)基板上では, 多結晶Fe_3Siが形成された.Fe_3Si(111)薄膜の磁気特性を評価した結果, 180°周期の面内磁気異方性が観測された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-04-15
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
竹内 悠
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
竹内 悠
九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻
-
Kenjo A
Kyushu Univ.
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