水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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概要
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酸化濃縮過程におけるSiGe仮想基板の歪緩和プロセスを検討した。歪緩和率を仕上がりSiGe膜厚の関数として調べた結果、仕上がりSiGe膜厚が100nm以上では完全緩和したSiGe仮想基板が得られた。しかし、仕上がりSiGe膜厚が30nm以下では歪緩和率が40%以下であった。この問題を解決するため、水素照射型酸化濃縮法にポストアニール法を重畳する手法を考案した。その結果、中ドーズ(5×10^<15>cm^<-2>)の水素照射後、酸化濃縮とポストアニール(1200℃)を行うことにより、極薄SiGe仮想基板(膜厚:28nm)において、高歪緩和率(70%)を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-10
著者
-
田中 政典
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
松本 光二
株式会社SUMCO
-
榎田 豊次
福菱セミコンエンジニアリング分析評価センター
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
榎田 豊次
福菱セミコン
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