榎田 豊次 | 福菱セミコン

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概要

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• 榎田 豊次

  福菱セミコン

• 榎田 豊次

  福菱セミコンエンジニアリング分析評価センター

• 宮尾 正信

  九州大学大学院システム情報科学

• 佐道 泰造

  九州大学大学院システム情報科学

• 吉武 剛

  九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻

• 村上 裕二

  九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門

• 佐道 泰造

  Kyushu Univ. Fukuoka Jpn

• 吉武 剛

  九州大学

• 吉武 剛

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 吉武 剛

  九大 大学院総合理工学研究院

• 吉武 剛

  九州大学大学院 総合理工学研究科

• 村上 裕二

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 田中 政典

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 板倉 賢

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 松本 光二

  株式会社SUMCO

• 波多 聡

  九大

• Itakura M

  Kyushu Univ. Fukuoka Jpn

• 板倉 賢

  九州大学大学院総合理工学研究院融合創造理工学部門

• 波多 聰

  九州大学大学院 総合理工学研究院 融合創造理工学部門

• 波多 聰

  九州大学 大学院 総合理工学研究院

• 板倉 賢

  九州大学大学院 総合理工学研究院 融合創造理工学部門

• 波多 聰

  九州大学総合理工学研究院融合創造理工学部門

• 権丈 淳

  九州大学大学院システム情報科学

• 孫 勇

  九工大・情報工

• 宮里 達郎

  九工大・情報工

• 園田 信夫

  福菱セミコン

• 孫 勇

  九工大工

• Kenjo A

  Kyushu Univ.

• 園田 信夫

  副菱セミコン

• 榎田 豊次

  副菱セミコン

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著作論文

• 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
• シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
• シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
• 25pZ-14 SiC薄膜収縮によるSiC/Si界面欠陥の形成
• 28a-YK-12 SiC薄膜中過剰C原子のSi基板への外拡散
• 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)

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