孫 勇 | 九工大工
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概要
関連著者
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孫 勇
九工大工
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宮里 達郎
九工大情報工
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孫 勇
九工大・情報工
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宮里 達郎
九工大・情報工
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園田 信夫
福菱セミコン
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孫 勇
九工大情報工
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桐本 賢太
北九州高専電気電子
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森山 文徳
超高温材料研
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高瀬 剛
梅光大
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榎田 豊次
福菱セミコン
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孫 勇
九工大・ 情報工
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宮里 達郎
九工大・ 情報工
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榎田 豊次
福菱セミコンエンジニアリング分析評価センター
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斗内 政吉
九工大情報工
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斗内 政吉
九工大・情報工
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浅野 種正
九工大・情報工
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山崎 裕一
九工大・情報工
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安部 貴充
九工大・情報工
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桐本 賢太
九工大・情報工
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宮里 達郎
九工大
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西谷 龍介
九工大情報
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清水 翔太
九工大工
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宮本 武瑠
九工大工
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桐本 賢太
九工大情報工
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副菱セミコン
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榎田 豊次
副菱セミコン
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高瀬 剛
梅光大・現コミ
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孫 勇
九州工大・情報工
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宮里 達郎
九州工大・情報工
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桐本 賢太
北九州高専
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孫 勇
九州工大・工学研究院
著作論文
- 3a-TB-7 水素プラズマケミカルスパッタリング法による II-VI属化合物半導体薄膜の結晶成長
- A-4 airgap法によるC_薄膜の弾性表面波吸収(基礎・物性・フォノン,口頭発表)
- 29p-J-5 水素プラズマスパッタリング法によるSi:H薄膜堆積中のエッチング効果
- 3P1-7 内部摩擦測定によるC_薄膜の物性評価(ポスターセッション)
- 23pWA-4 SiC/Si構造のアニール特性
- 25pZ-14 SiC薄膜収縮によるSiC/Si界面欠陥の形成
- 28a-YK-12 SiC薄膜中過剰C原子のSi基板への外拡散
- 28a-S-3 SiC膜/Si基板界面に形成されたC-rich層の結晶性
- 28a-S-2 SiC膜/Si基板界面にC-rich層の形成メカニズム
- SiC薄膜/Si基板界面の空洞化メカニズム
- 水素プラズマスパッタリング法によるSiC薄膜の低温作成
- 解説 C60薄膜の電波吸収測定--弾性表面波デバイスを利用して
- P1-9 C_薄膜のガラス相転移温度以下でのSAW減衰(ポスターセッション1,ポスター発表)
- 23pT-5 シリコン単結晶熱エッチングにおける応力効果
- 28a-ZF-2 SiC/Si構造のアニール特性(II)
- 28a-ZF-1 SiC/Si構造のアニール特性(I)
- 25p-YE-12 ナノ結晶SiC薄膜のIR吸収特性