3P1-7 内部摩擦測定によるC_<60>薄膜の物性評価(ポスターセッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会の論文
- 2009-11-18
著者
関連論文
- 3a-TB-7 水素プラズマケミカルスパッタリング法による II-VI属化合物半導体薄膜の結晶成長
- A-4 airgap法によるC_薄膜の弾性表面波吸収(基礎・物性・フォノン,口頭発表)
- 29p-J-5 水素プラズマスパッタリング法によるSi:H薄膜堆積中のエッチング効果
- 3P1-7 内部摩擦測定によるC_薄膜の物性評価(ポスターセッション)
- 23pWA-4 SiC/Si構造のアニール特性
- 24aYA-10 イットリウム安定化ジルコニアの局所構造による内部摩擦
- 25pYB-14 イットリウム安定化ジルコニアの内部摩擦
- 29p-ZA-4 超イオン電導体ZrO_2(Y)の超音波吸収
- 31a-K-6 cubic ZrO_2(Y)の緩和モードと超音波吸収II
- 13p-PSB-13 超イオン伝導体ZrO_2(Y)の緩和モードによる音波吸収
- 非線形時系列信号のAMT(角度計測技術)解析
- マイクロ波および可視近赤外衛星画像による有明海の水環境観測
- 25pZ-14 SiC薄膜収縮によるSiC/Si界面欠陥の形成
- 28a-YK-12 SiC薄膜中過剰C原子のSi基板への外拡散
- 28a-S-3 SiC膜/Si基板界面に形成されたC-rich層の結晶性
- 28a-S-2 SiC膜/Si基板界面にC-rich層の形成メカニズム
- SiC薄膜/Si基板界面の空洞化メカニズム
- 水素プラズマスパッタリング法によるSiC薄膜の低温作成
- 解説 C60薄膜の電波吸収測定--弾性表面波デバイスを利用して
- P1-9 C_薄膜のガラス相転移温度以下でのSAW減衰(ポスターセッション1,ポスター発表)
- 23pT-5 シリコン単結晶熱エッチングにおける応力効果
- 28a-ZF-2 SiC/Si構造のアニール特性(II)
- 28a-ZF-1 SiC/Si構造のアニール特性(I)
- 25p-YE-12 ナノ結晶SiC薄膜のIR吸収特性
- 27aCC-1 Sc_3N@C_フラーレンの電気特性評価(27aCC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 3Pa1-5 振動リード法によるBi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_x超電導テープの内部摩擦測定(ポスターセッション)