28a-YK-12 SiC薄膜中過剰C原子のSi基板への外拡散

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1998-09-05

著者

• 孫 勇

  九工大・情報工

• 宮里 達郎

  九工大・情報工

• 園田 信夫

  福菱セミコン

• 孫 勇

  九工大工

• 園田 信夫

  副菱セミコン

• 榎田 豊次

  副菱セミコン

• 榎田 豊次

  福菱セミコン

関連論文

• 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 3a-TB-7 水素プラズマケミカルスパッタリング法による II-VI属化合物半導体薄膜の結晶成長
• 5a-C-2 微粒子シリコンの光学的評価
• Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
• シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
• シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
• A-4 airgap法によるC_薄膜の弾性表面波吸収(基礎・物性・フォノン,口頭発表)
• 29p-J-5 水素プラズマスパッタリング法によるSi:H薄膜堆積中のエッチング効果
• 3P1-7 内部摩擦測定によるC_薄膜の物性評価(ポスターセッション)
• 23pWA-4 SiC/Si構造のアニール特性
• 25pZ-14 SiC薄膜収縮によるSiC/Si界面欠陥の形成
• 28a-YK-12 SiC薄膜中過剰C原子のSi基板への外拡散
• 28a-S-3 SiC膜/Si基板界面に形成されたC-rich層の結晶性
• 28a-S-2 SiC膜/Si基板界面にC-rich層の形成メカニズム
• SiC薄膜/Si基板界面の空洞化メカニズム
• 水素プラズマスパッタリング法によるSiC薄膜の低温作成
• 紫外線照射に伴うPPS表面の改質効果
• 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 解説 C60薄膜の電波吸収測定--弾性表面波デバイスを利用して
• P1-9 C_薄膜のガラス相転移温度以下でのSAW減衰(ポスターセッション1,ポスター発表)
• 23pT-5 シリコン単結晶熱エッチングにおける応力効果
• 28a-ZF-2 SiC/Si構造のアニール特性(II)
• 28a-ZF-1 SiC/Si構造のアニール特性(I)
• 25p-YE-12 ナノ結晶SiC薄膜のIR吸収特性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク