Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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鉄シリサイドβ-FeSi_2のバンドギャップの変調を目指し,異種原子(Ge)の添加によるβ-FeSi_2結晶格子の歪み変調を調べた.[非晶質Si/非晶質Fe_<0.4>Si_<0.5>Ge_<0.1>]_n/結晶Si多層構造(n=1,2,4)を700〜900℃で固相成長することにより,Ge添加β-FeSi_2結晶の形成を試みた.X線回折測定の結果,熱処理温度700℃において歪β-FeSi_2結晶が形成されることが明らかになった.XRDピークのシフト量から格子歪みを見積もった結果,最大0.5%の歪みが加わっていることがわかった.理論計算から,この格子歪み量(0.5%)により約0.03eVのエネルギーギャップ変調が期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-25
著者
-
吉武 剛
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
-
榎田 豊次
福菱セミコンエンジニアリング分析評価センター
-
村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
吉武 剛
九州大学
-
吉武 剛
九州大学大学院総合理工学研究院
-
吉武 剛
九大 大学院総合理工学研究院
-
吉武 剛
九州大学大学院 総合理工学研究科
-
村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
Kenjo A
Kyushu Univ.
-
榎田 豊次
福菱セミコン
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