β-FeSi_2/Siヘテロ接合と整流特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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概要
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β-FeSi_2薄膜を,FeSi_2合金ターゲットを用いた対向ターゲット式DCスパッタリング(FTDCS)法によって,Si(111)基板上に基板温度600℃で直接エピタキシャル成長した.通常800℃以上のポストアニールを必要とするが,比較的高エネルギーなFTDCS法で直接エピタキシャル成長させることで200℃の低温化を実現した.生成膜の膜表面は,所々小さなピントールが観られたが,平均荒さ1.47nmを示し,比較的滑らかであった.光吸収スペクトル測定から見積もられた,直接遷移および間接遷移のバンドギャップは単結晶バルクの値にほぼ一致した.電気伝導率の温度依存性から,ターゲットの不純物のCoが,膜中にも存在してドナーとして働いていることが示唆された.N型β-FeSi_2/p型Siヘテロ接合は整流特性を示したものの,大きなリーク電流が観測された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-10
著者
-
吉武 剛
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
-
モハメド シャバーン・アブデルラディ・アームド
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
-
中嶋 和浩
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
-
横山 亘
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
-
永山 邦仁
九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
永山 邦仁
九州大学大学院工学研究院航空宇宙工学部門
-
吉武 剛
九州大学
-
吉武 剛
九州大学大学院総合理工学研究院
-
吉武 剛
九大 大学院総合理工学研究院
-
吉武 剛
九州大学大学院 総合理工学研究科
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