ArFレーザーを用いたレーザーアブレーション法による酸素雰囲気中におけるダイヤモンド薄膜のホモ成長
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概要
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Diamond thin films were grown on diamond (100) substrates in an oxygen atmosphere by pulsed laser deposition (PLD) using an ArF excimer laser. The optimum oxygen atmosphere of $5\times 10^{-1}$ Torr can etch the ${\rm sp}^2$ bonding fractions preferentially. At a substrate temperature less than 400$^\circ$C, amorphous carbon thin films, which showed typical G and D peaks in Raman spectrum, were grown. At the range between 450$^\circ$C and 650$^\circ$C, single phase diamond films consisting of diamond crystal with 1$\sim$2$\mu$m diameters were grown. The results demonstrated that the oxygen pressure and the substrate temperature are determinant parameters in the growth of diamond by PLD.
- 九州大学の論文
- 2000-09-30
著者
-
吉武 剛
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
-
西山 貴史
九州大学大学院工学研究院航空宇宙工学部門
-
原 武嗣
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
-
永山 邦仁
九州大学工学研究院
-
永山 邦仁
九州大学大学院工学研究院航空宇宙工学部門
-
吉武 剛
九州大学
-
吉武 剛
九州大学大学院総合理工学研究院
-
吉武 剛
九大 大学院総合理工学研究院
-
吉武 剛
九州大学大学院 総合理工学研究科
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