レーザーアブレーション法におけるダイヤモンド薄膜成長機構に関する考察
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概要
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Although diamond thin films have been mainly produced by chemical vapor deposition methods (CVD) up to now, pulsed laser deposition (PLD) have a potential for growing diamond thin films including no hydrogen at a lower substrate temperature than those of CVD. In the previous study, we could succeed in growing diamond thin film homoepitaxially in an oxygen atmosphere by pulsed laser ablation of graphite. In this report, we investigated structural change of diamond thin film for the substrate temperature and the repetition rate of laser pulses. Based on the result, we considered the growth mechanism of diamond thin film by pulsed laser deposition.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2003-09-01
著者
-
吉武 剛
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
-
永山 邦仁
九州大学大学院工学府航空宇宙工学専攻
-
西山 貴史
九州大学大学院工学研究院航空宇宙工学部門
-
原 武嗣
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
-
永山 邦仁
九州大学大学院工学研究院航空宇宙工学部門
-
吉武 剛
九州大学
-
吉武 剛
九州大学大学院総合理工学研究院
-
吉武 剛
九大 大学院総合理工学研究院
-
吉武 剛
九州大学大学院 総合理工学研究科
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