ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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次世代高速薄膜トランジスタ及び高効率薄膜太陽電池の実現には,高移動度や高い光吸収係数を有する新半導体材料(SiGe)薄膜をガラス基板上に高品質形成する必要がある.そこで本論文では,SiGeのガラス基板上における低温成長(<500℃)及び配向性制御を目指し,非晶質SiGe薄膜のAl誘起層交換成長を検討した.その結果,成長様態はGe濃度とAl膜の大気暴露時間に大きく依存することが判明した.Ge濃度に応じて,SiGe/Al界面の酸化膜厚を選択することにより全Ge濃度領域において,大粒径(>10μm)SiGeの均一成長を実現した.さらに,均一成長した領域の配向性を評価し,Al誘起層交換成長におけるSiGeの成長メカニズムについても議論する.
- 2010-04-16
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学
-
川畑 直之
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学:日本学術振興会
-
黒澤 昌志
九州大学
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