界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
古き設備に見る知恵と誇り
-
アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
-
アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
-
絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長
-
スピントロニクス用強磁性シリサイド(Fe_3Si)/SiGeの低温形成
-
ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
-
ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
-
自律的構造形成プロセスへのアプローチ
-
SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) の形成 : 人工単結晶への道
-
絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
-
絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
-
界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
-
界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
-
界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク