自律的構造形成プロセスへのアプローチ

概要

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半導体の結晶成長やデバイス加工のプロセスでは、熱エネルギーの他、プラズマや電子ビーム、イオンビームなどの粒子エネルギーが有効に利用されているが、デバイス構造の微細化に伴って、このプロセスエネルギーを最小限に抑え、プロセス感度を向上し、誘起欠陥を低減することが強く求められている。結晶固体中に導入された点欠陥は、一般に、周辺原始の再配列を促すに十分なエネルギーを持っている。しかし、そのエネルギーが意図的に半導体加工等のプロセスに利用されたことはこれまでほとんどない。ここでは、プロセスに関与する単位粒子として、結晶中に導入した空格子点、格子間原子などの点状欠陥を対象とし、これらが結晶成長やデバイス加工のプロセス手段としてどのように有効に利用できるか、これによりどのようなプロセス上の特徴が発揮できるか、などについて考察を試みる。欠陥の導入をはかる手段としては、主としてイオンビームの照射を用いる場合を考える。加速されたイオンの照射によって結晶固体中に導入された非平衡濃度の欠陥は、種々の過程を経て消滅し、あるいは原子の再配列などに寄与して安定化する。この欠陥緩和過程は自律的であり、新しい構造形成の手段として利用できるものと期待される。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-09-26

自律的構造形成プロセスへのアプローチ

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