AIC法による低温多結晶シリコン薄膜形成挙動の微細構造解析(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
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概要
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アルミニウム誘起結晶化法(AIC法)により形成された多結晶シリコン(Si)薄膜の形成挙動を透過電子顕微鏡(TEM)内その場加熱観察法等の微細構造解析手法により調査した.走査透過電子顕微鏡(STEM)を用いたエネルギー分散型X線分光法(EDS)分析により,400℃で10時間の熱処理でアモルファスSi(a-Si)とAlが完全に層交換することが確認できた.さらに,200℃での熱処理途中段階でのTEM内その場加熱観察ならびにEDS線分析により,SiとAlが各層内に共存することを明らかにできた.これらの結果より,AICによるa-Siの結晶化はSiの非平衡状態でのAlとの固溶を経由して起こると考えられる.
- 2008-04-04
著者
-
池田 賢一
九州大学大学院総合理工学研究院
-
中島 英治
九州大学大学院総合理工学研究院
-
中島 寛
九州大学産学連携センター
-
廣田 健
九州大学大学院総合理工学府
-
藤本 健資
九州大学大学院総合理工学府
-
杉本 陽平
九州大学大学院総合理工学府
-
高田 尚記
東京工業大学大学院理工学研究科
-
井 誠一郎
崇城大学工学部
-
廣田 健
九州大学大学院総合理工学府:(現)三菱重工業株式会社
-
杉本 陽平
九州大学大学院総合理工学府:(現)セイコーエプソン株式会社
-
中島 英治
九州大学大学院総合理工学府
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