TaN/Hf系high-k/Siゲートスタック構造の電気特性
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概要
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We investigated the electrical properties of TaN/HfO2/Si gate stack structure. It was found that the effective work function (Φeff) strongly depends on the interfacial layer formed near the TaN/HfO2 interface. The analysis by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) indicated that Ta oxide is formed near the TaN/HfO2 interface. The results suggested that the modification of Φeff is attributed to the change in the composition of the interfacial layer. The modifiedΦeff is discussed on the basis of the XPS results.
- 九州大学大学院総合理工学府,Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu Universityの論文
著者
-
山本 圭介
大阪大学大学院医学系研究科器官制御外科学(泌尿器科学)
-
中島 寛
先端科学技術共同研究センター
-
杉本 陽平
九州大学大学院総合理工学府:(現)セイコーエプソン株式会社
-
中島 寛
九大 産学連携セ
-
山本 圭介
九州大学大学院総合理工学府
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