中島 寛 | 九大 産学連携セ
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概要
関連著者
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中島 寛
先端科学技術共同研究センター
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中島 寛
九大 産学連携セ
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中島 寛
九州大学産学連携センター
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池田 賢一
九州大学大学院総合理工学研究院
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中島 英治
九州大学大学院総合理工学研究院
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井 誠一郎
崇城大学工学部
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杉本 陽平
九州大学大学院総合理工学府:(現)セイコーエプソン株式会社
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井 誠一郎
物質・材料研究機構ハイブリッド材料センター
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中島 英治
九州大学大学院総合理工学府
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廣田 健
九州大学大学院総合理工学府
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藤本 健資
九州大学大学院総合理工学府
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杉本 陽平
九州大学大学院総合理工学府
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高田 尚記
東京工業大学大学院理工学研究科
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中島 寛
九州大学先端科学技術共同研究センター
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廣田 健
九州大学大学院総合理工学府:(現)三菱重工業株式会社
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藤本 健資
九州大学大学院総合理工学府物質理工学専攻
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高田 尚記
九州大学大学院総合理工学府院生
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高田 尚記
九州大学大学院総合理工学府大学院
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高田 尚記
九州大学大学院総合理工学府物質理工学専攻
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井 誠一郎
九州大学産学連携センター
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王 俊利
九州大学先端科学技術共同研究センター
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趙 麗巍
九州大学先端科学技術共同研究センター
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Ikeda K
Interdisciplinary Graduate School Of Engineering Sciences Kyushu University
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中前 正彦
三菱住友シリコン(株)
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山本 圭介
九州大学大学院総合理工学府
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王 冬
九州大学産学連携センター
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手島 昇
九州大学工学部電気情報工学科
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浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
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宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
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浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
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萩野 浩靖
福菱セミコンエンジニアリング(株)
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Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
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大串 英世
(独)産業技術総合研究所ダイヤモンド研究センター
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Nakashima Hideharu
Interdisciplinary Graduate School Of Engineering Sciences Kyushu University
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山本 圭介
大阪大学大学院医学系研究科器官制御外科学(泌尿器科学)
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平山 佳奈
九州大学大学院総合理工学府
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楊 海貴
九州大学産学連携センター
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村岡 克紀
九大総理工
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水口 隆
九州大学大学院総合理工学府物質理工学専攻
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二宮 正晴
株式会社SUMCO
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中前 正彦
株式会社SUMCO
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高 軍思
九大総理工
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王 俊利
九大総理工
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中島 寛
九大先端センター
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古川 勝彦
九大先端センター
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高 大為
九大先端センター
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張 依群
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻
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馬場 昭好
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻
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NAKASHIMA Hiroshi
Art, Science and Technology Center for Cooperative Research, Kyushu University
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SUGIMOTO Youhei
Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University
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YAMAMOTO Keisuke
Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University
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佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
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Muraoka Katsunori
Interdisciplinary Gt-aduate School Of Engineering Sciences Kyushu Universit
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Matsuo Keiji
Fukuoka Institute Of Technology
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Sugimoto Youhei
Interdisciplinary Graduate School Of Engineering Sciences Kyushu University
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中島 寛
九大先端セ
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松尾 慎一郎
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイスエ学専攻
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鶴島 稔夫
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイスエ学専攻
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Wang Dong
九大 産学連携セ
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Yamamoto Keisuke
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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Yamamoto Keisuke
Interdisciplinary Graduate School Of Engineering Sciences Kyushu University
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中島 英治
九州大学 大学院 総合理工学研究院
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Nakashima Hideharu
Department Of Electrical And Materials Science Faculty Of Engineering Sciences Kyushu University
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中島 寛[他]
先端科学技術共同研究センター
-
中島 寛[他]
九州大学先端科学技術共同研究センター
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水口 隆
九州大学大学院総合理工学府
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井餘田 昌俊
九州大学大学院総合理工学府
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王 冬
九州大学大学院総合理工学府
著作論文
- 界面層にHfGeNおよびGeO_2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 : Ge基板への絶縁膜形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AIC法による低温多結晶シリコン薄膜形成挙動の微細構造解析(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン薄膜形成挙動のその場加熱観察
- アルミニウム誘起結晶化法による多結晶シリコン形成過程のその場加熱観察
- AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 次世代ひずみSi-SGOIウエーハの微細組織観察
- ECRプラズマを活用した高品質絶縁膜の低温形成(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- ECRプラズマを活用した高品質絶縁膜の低温形成(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 電子サイクロトロンプラズマを活用したシリコン薄膜及び極薄シリコン酸化膜の形成とその電気的評価
- 26aB13 ECRスパッタリングプラズマ制御による単結晶薄膜の成長(ヘリカル/プラズマ応用)
- CoSi_2ゲートMOS形トンネル電子放出素子の評価
- 極薄トンネル酸化膜の電気特性の膜厚依存性と熱処理効果およびFIBによるCoシリサイド微構造の低温形成
- シリコン中の鉄原子の再結合促進移動を利用した構造的に準安定な鉄-ボロン・ペアの生成
- AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Electrical and Structural Properties of TaN Gate Electrodes Fabricated by Wet Etching Using NH_4OH/H_2O_2 Solution and Hf Metal Hard Mask
- ECRプラズマを活用した高品質絶縁膜の低温形成(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- TaN/Hf系high-k/Siゲートスタック構造の電気特性
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ECRプラズマ支援Si酸化とイオン照射効果
- 高効率両面受光太陽電池製造におけるp+層とn+層のFeゲッタリング能力評価
- TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)