界面層にHfGeNおよびGeO_2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 : Ge基板への絶縁膜形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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高移動度Geチャネルの実現を目指し、Geに対して良好な界面・絶縁特性を有するMIS構造を探索している。我々は、high-k/Geの界面に界面層(IL)を意図的に作り込み、MIS構造の特性向上を図ろうとしている。今回、ILとしてHfGeNおよびGeO_2を用いたhigh-k/IL/Ge構造を試作し、キャパシタ特性を評価した。その結果を報告する。
- 2009-06-12
著者
-
中島 寛
九州大学産学連携センター
-
平山 佳奈
九州大学大学院総合理工学府
-
楊 海貴
九州大学産学連携センター
-
王 冬
九州大学産学連携センター
-
中島 寛
先端科学技術共同研究センター
-
中島 寛
九大 産学連携セ
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