ECRプラズマ支援Si酸化とイオン照射効果
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概要
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ECRプラズマを用いたイオンアシスト低温酸化によるSi酸化膜の成長特性を解明し、酸化膜形成機構を議論する。酸化速度はArイオンの照射エネルギーと照射率に依存し、酸化種の照射誘起増速拡散により律速される。基板に正バイアスを印加すると酸化速度は増加する。これは、酸化膜中の電界により酸化種の移動が加速されることに起因する。また、正バイアスを印加すると、酸化初期過程におけるイオン照射エネルギーが減少し、イオン照射によるSi基板表面の損傷が軽減され、酸化膜の電気特性が改善される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
-
中島 寛
先端科学技術共同研究センター
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
中島 寛
九大 産学連携セ
-
松尾 慎一郎
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイスエ学専攻
-
鶴島 稔夫
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイスエ学専攻
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