分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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概要
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分子ビームエピタキシャル成長法による, Fe_3Si/Siの形成プロセスを検討した.X線回折測定の結果, 堆積温度(30-300℃)でFe_3Si相が形成され, 堆積温度(400℃)では, FeSi相が形成されることが判った.高温堆積(400℃)でのFeSi相の形成は, 基板からのSi供給に起因する.透過型電子顕微鏡測定の結果, Si(111)基板上では, Fe_3Si(111)薄膜がエピタキシャル成長する事が判明した.一方, Si(100)基板上では, 多結晶Fe_3Siが形成された.形成されたFe_3Siには, B2相とDO3(ハーフメタリック)相が混在していた.Fe_3Si(111)薄膜の磁気特性を評価した結果, 180°周期の面内磁気異方性が観測された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-21
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
上田 公二
九州大学大学院システム情報研究院
-
権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
上田 公二
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
竹内 悠
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
竹内 悠
九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻
-
Kenjo A
Kyushu Univ.
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