Kenjo A | Kyushu Univ.
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概要
関連著者
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Kenjo A
Kyushu Univ.
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権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
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宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
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佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
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KENJO Atsushi
Kyushu University, Department of Electronics
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Kenjo A
Kyushu University Department Of Electronics
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SADOH Taizoh
Department of Electronics, Kyushu University
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竹内 悠
九州大学大学院システム情報科学研究院
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竹内 悠
九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻
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菅野 裕士
九州大学大学院システム情報科学
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Sadoh Taizoh
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Kyushu University
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KENJO Atsushi
Department of Electrical Engineering,Faculty of Engineering,Kyushu University
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MIYAO Masanobu
Department of Electronics, Kyushu University
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上田 公二
九州大学大学院システム情報研究院
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上田 公二
九州大学大学院システム情報科学研究院
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Miyao M
Department Of Electronics Kyushu University
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BABA Akira
Center for Transdisciplinary Research, Niigata University
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Baba A
Niigata Univ. Niigata Jpn
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Baba A
Kyushu Univ.
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小柳 光正
東北大学工学研究科
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小柳 光正
東北大学 工学研究科 機械知能工学専攻
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上田 公二
九州大学 大学院システム情報科学
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権丈 淳
九州大学 大学院システム情報科学
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佐道 泰造
九州大学 大学院システム情報科学
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宮尾 正信
九州大学 大学院システム情報科学
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Miyao Masanobu
Department Of Electronics Kyushu University
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吉武 剛
九州大学大学院総合理工学府量子プロセス理工学専攻
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榎田 豊次
福菱セミコンエンジニアリング分析評価センター
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Inoue H
Optical Device Department Device Development Data Storage Technology Center Tdk Corporation
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村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門
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Inoue H
Tdk Corp. Nagano Jpn
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吉武 剛
九州大学
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吉武 剛
九州大学大学院総合理工学研究院
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吉武 剛
九大 大学院総合理工学研究院
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Baba A
Hachinohe Inst. Technol. Aomori
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INOUE Hirotoshi
Department of Electrical and Computer Engineering, Kumamoto University
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BABA Akiyoshi
Department of Electrical Engineering,Faculty of Engineering,Kyushu University
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Inoue Hironori
Hitachi Research Laboratory Hitachi Ltd.
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Bai D‐j
九大 大学院
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Bai Dong-ju
Dept.of Electronic Device Eng. Grad.school Of Information Sci.and Electrical Eng. Kyushu Univ.
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Inoue H
Faculty Of Technology Tokyo Universily Of Agriculture And Technology:(present Address) Nippon Denso
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吉武 剛
九州大学大学院 総合理工学研究科
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MIYAUCHI Akihiro
Hitachi Research Laboratory, Hitachi Ltd.
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Baba A
Center For Transdisciplinary Research Niigata University
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村上 裕二
九州大学大学院システム情報科学研究院
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Baba Akiyoshi
Grad.school Of Information Sci.and Electrical Eng. Kyushu Univ.
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榎田 豊次
福菱セミコン
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Miyauchi Akihiro
Hitachi Research Laboratory Hitachi Ltd.
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KENJO Atsushi
Grad.School of Information Sci.and Electrical Eng.,Kyushu Univ.
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Inoue Hajime
Institute Of Applied Physics And Tsukuba Advanced Research Alliance (tara) University Of Tsukuba
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KENJO Atsushi[et
Grad.School of Information Sci.and Electrical Eng.,Kyushu Univ.
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Nakashima Hiroshi
Department Of Cardiology Nagasaki Citizens Hospital
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KANNO Hiroshi
Department of Neurosurgery, Yokohama City University Graduate School of Medicine
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角田 功
九州大学大学院システム情報科学
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Tsunoda Isao
Department Of Electronics Kyushu University
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長友 圭
九州大学大学院システム情報科学
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Sadoh Taizoh
Kyushu University
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MIYAO Masanobu
Kyushu University
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TSURUSHIMA Toshio
Department of Electronic Device Engineering, Kyushu University
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TAKESHITA Hironori
Department of Electrical Engineering, Kyushu University
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角田 功
九大 大学院
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Nakashima H
Kyushu Univ.
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Miyao M
Central Research Laborotory Hitachi Ltd.:(present Address)information Science And Electrical Enginee
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AOKI Tomohisa
Department of Electronics, Kyushu University
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KANNO Hiroshi
Kyushu University, Department of Electronics
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AOKI Tomohisa
Kyushu University, Department of Electronics
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Miyao Masanobu
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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Aoki Tomohisa
Kyushu University Department Of Electronics
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Tsurushima T
Kyushu Univ.
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Takeshita Hironori
Department Of Electrical Engineering Kyushu University
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Nakashima Hiroshi
Department Of Cancer Therapy And Research Graduate School Of Medical Sciences Kyushu University
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Nakashima Hiroshi
Department Of Biology Faculty Of Science Okayama University
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Kanno Hiroshi
Kyushu University Department Of Electronics
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KENJO Atsushi[et
Department of Electrical Engineering,Faculty of Engineering,Kyushu University
-
TSURUSHIMA Toshio
Department of Electrical Engineering, Kyushu University
著作論文
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
- Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si_Ge_x(0≦x≦1)薄膜の低温形成
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 絶縁膜上におけるSiGe結晶成長とデバイス応用(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- Evaluation of Damage Induced by Low-Energy Ion Irradiation in Silicon
- Behavior of Defects Induced by Low-Energy Ions in Silicon Films
- 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Ion Irradiation Stimulated Crystal Nucleation in Amorphous Si on SiO_2
- Mechanism of Improved Thermal Stability of B in Poly-SiGe Gate on SiON
- Mechanism of Improved Thermal Stability of B in Poly-SiGe Gate on SiON
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- Low-Temperature Formation of Poly-Si_Ge_x (x:0-1) on SiO_2 by Au-Mediated Lateral Crystallization
- Low-Temperature Formation of Poly-Si_Ge_x (x:0-1) on SiO_2 by Au-Mediated Lateral Crystallization
- Tapered-Surface Etching of GaAs Utilizing Low-Energy Ion Bombardment Effect
- Effect of Energy Transport with Recoil Atoms on Deposited Energy Distribution in Silicon Irradiated with Energetic Ions