Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si_<1-x>Ge_x(0≦x≦1)薄膜の低温形成
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概要
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Development of new semiconductors with high carrier mobility is strongly needed to realize future system-in-displays. To achieve this, we have been investigating low-temperature crystallization of a-Si1-xGex (0≤x≤1) on insulating films. Present paper focuses our recent progress of the Ni-induced lateral crystallization of a-Si1-xGex (0≤x≤1). Effects of the Ge fraction and the electric field on the growth characteristics are discussed.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2006-09-01
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
菅野 裕士
九州大学大学院システム情報科学
-
権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
Kenjo A
Kyushu Univ.
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