a-siGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
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概要
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a-SiGe薄膜のNi金属誘起横方向結晶化(Ni-MILC)法による低温結晶化機構を解明するために,Si_<0.6>Ge_<0.4>薄膜の微細構造を透過電子顕微鏡(TEM)により解析した.450℃で熱処理した試料では,先端に半球状のNi (Si_<1-x>Ge_x)粒が形成され,それに続いて約30nm幅で数μm程の長さの針状Si_<0.6>Ge_<0.4>結晶が生成していた.一方550℃試料では,針状に結晶化した軸結晶に200nm程度の大きな樹枝状結晶が多数生成していた.これは針状結晶部分から新たに核生成・成長が起こったものと考えられ,高温側ではNi (Si_<1-x>Ge_x)誘起による結晶化と自然核生成による結晶化とが競合して複雑な結晶形態になることが明らかとなった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-04-11
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
板倉 賢
九州大学大学院総合理工学研究院
-
Itakura M
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
板倉 賢
九州大学大学院 総合理工学研究院 融合創造理工学部門
-
石田 猛
日立製作所・中央研究所
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