石田 猛 | 日立製作所・中央研究所
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概要
関連著者
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石田 猛
日立製作所・中央研究所
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石田 猛
日立製作所 中央研究所
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山田 廉一
日立製作所・中央研究所
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山田 廉一
東大理
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古澤 健志
ルネサステクノロジー
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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白石 賢二
筑波大学
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白石 賢二
筑波大学・大学院数理物質科学研究科
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小林 賢司
筑波大学・大学院数理物質科学研究科
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奥山 裕
日立製作所・中央研究所
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鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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中山 貴弘
日立製作所 情報制御システム事業部
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白石 賢二
筑波大院数物
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日野出 憲治
日立製作所 中央研究所
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日野出 憲治
株式会社日立製作所中央研究所
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武田 健一
日立製作所 中央研究所
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田切 克典
日立製作所 情報制御システム事業部
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藤田 藩
日立製作所 情報制御システム事業部
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古澤 健志
日立製作所中央研究所
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龍崎 大介
日立製作所中央研究所
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日野出 憲司
日立製作所. 中央研究所
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峰 利之
日立製作所 中央研究所
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
日立・中研
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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濱村 浩孝
日立製作所中央研究所
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宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
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板倉 賢
九州大学大学院総合理工学研究院
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Itakura M
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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武田 健一
日立製作所中央研究所
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峰 利之
日立製作所中央研究所
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Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
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Takeda Ken'ichi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
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板倉 賢
九州大学大学院 総合理工学研究院 融合創造理工学部門
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Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
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Takeda Ken-ichi
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
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Takeda Ken-ichi
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
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Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
著作論文
- 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- Si_3N_4/Si-rich Nitride(SRN)/Si_3N_4積層膜の電子捕獲特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- a-siGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 電界ストレスによるlow-k膜の比誘電率上昇(TDDI)
- MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究