石田 猛 | 日立製作所 中央研究所

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 石田 猛

  日立製作所 中央研究所

• 石田 猛

  日立製作所・中央研究所

• 山田 廉一

  日立製作所・中央研究所

• 山田 廉一

  東大理

• 古澤 健志

  ルネサステクノロジー

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 白石 賢二

  筑波大学

• 白石 賢二

  筑波大学・大学院数理物質科学研究科

• 小林 賢司

  筑波大学・大学院数理物質科学研究科

• 奥山 裕

  日立製作所・中央研究所

• 鳥居 和功

  日立製作所 中央研究所

• 白石 賢二

  筑波大学数理物質科学研究科

• 中山 貴弘

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 日野出 憲治

  日立製作所 中央研究所

• 日野出 憲治

  株式会社日立製作所中央研究所

• 武田 健一

  日立製作所 中央研究所

• 田切 克典

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 藤田 藩

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 古澤 健志

  日立製作所中央研究所

• 龍崎 大介

  日立製作所中央研究所

• 日野出 憲司

  日立製作所. 中央研究所

• 峰 利之

  日立製作所 中央研究所

• 峰 利之

  (株)日立製作所中央研究所

• 鳥居 和功

  日立・中研

• 白石 賢二

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• 濱村 浩孝

  日立製作所中央研究所

• 武田 健一

  日立製作所中央研究所

• 峰 利之

  日立製作所中央研究所

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken'ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

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著作論文

• 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• Si_3N_4/Si-rich Nitride(SRN)/Si_3N_4積層膜の電子捕獲特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 電界ストレスによるlow-k膜の比誘電率上昇(TDDI)
• MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究

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