峰 利之 | 日立製作所 中央研究所
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概要
関連著者
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峰 利之
日立製作所 中央研究所
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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峰 利之
日立製作所中央研究所
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笹子 佳孝
日立製作所中央研究所
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木下 勝治
日立製作所中央研究所
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島 明生
日立製作所デバイス開発センタ
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島 明生
日立製作所中央研究所
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黒土 健三
日立製作所中央研究所
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峯邑 浩行
(株)日立製作所中央研究所
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田井 光春
日立製作所
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田井 光春
(株)日立製作所中央研究所
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藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
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峯邑 浩行
日立製作所中央研究所
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小林 孝
日立製作所中央研究所
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安齋 由美子
日立製作所中央研究所
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高濱 高
日立製作所中央研究所
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森本 忠雄
日立製作所中央研究所
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田井 光春
日立製作所中央研究所
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峯邑 浩行
株式会社日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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鳥居 和功
日立・中研
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鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
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日立
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矢野 和男
早大理工
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笹子 佳孝
(株)日立製作所 中央研究所
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石井 智之
日立
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矢野 和男
日立製作所中央研究所
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石井 智之
日立製作所 中央研究所
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村井 二三夫
日立製作所 中央研究所
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石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
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森川 貴博
日立製作所中央研究所
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半澤 悟
日立製作所中央研究所
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守谷 浩志
日立製作所機械研究所
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高浦 則克
日立製作所中央研究所
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矢野 和男
日立製作所基礎研究所
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石井 智之
日立製作所中央研究所
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石井 智之
神奈川工科大学情報学部
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矢野 和男
?日立製作所中央研究所
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高橋 俊和
日立製作所中央研究所
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森田 精一
日立製作所中央研究所
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矢野 和男
(株)日立製作所中央研究所
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長部 太郎
(株)日立製作所 中央研究所
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小林 孝
(株)日立製作所中央研究所
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長部 太郎
日立製作所 中央研究所
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峯邑 浩行
日立製作所研究開発本部ストレージ・テクノロジ研究センタ
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井戸 立身
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発機構:日立製作所中央研究所
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谷 和樹
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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斎藤 慎一
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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小田 克矢
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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奥村 忠嗣
日立製作所中央研究所
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久米 均
日立製作所中央研究所
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草場 壽一
日立製作所中央研究所
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與名本 欣樹
日立製作所横浜研究所
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田中 稔彦
(株)日立製作所中央研究所
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石田 猛
日立製作所 中央研究所
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関 浩一
日立製作所中央研究所
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日立製作所 中央研究所
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久禮 得男
日立製作所中央研究所
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濱村 浩孝
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日立デバイス
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田中 稔彦
日立製作所中央研究所
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山中 良子
日立製作所 中央研究所
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服部 孝司
日立製作所 中央研究所
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石田 猛
日立製作所・中央研究所
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小田 克矢
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発機構:日立製作所中央研究所
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斎藤 慎一
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発機構:日立製作所中央研究所
著作論文
- 化学増幅型レジストに及ぼす窒化シリコン膜表面水酸基の影響
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- モバイル機器用高密度オンチップメモリーSESO
- 極薄ポリSiを用いたスケーラブルメモリSESO
- ナノドット不揮発性メモリMEID
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- Si_3N_4/Si-rich Nitride(SRN)/Si_3N_4積層膜の電子捕獲特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 128Mbit単一電子メモリー
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元積層を可能にする Poly-Si トランジスタ駆動の相変化メモリ
- 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 4F^2のポリシリコンダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ(不揮発メモリ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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